Name: TPHR6503PL1,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPHR6503PL1LQTR-ND
Price: 518.1 JPY
Availability: InStock

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TPHR6503PL1,LQ
DigiKey製品番号	264-TPHR6503PL1LQTR-ND - テープ＆リール（TR） 264-TPHR6503PL1LQCT-ND - カットテープ（CT） 264-TPHR6503PL1LQDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	TPHR6503PL1,LQ
商品概要	UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZ
メーカーの標準リードタイム	16 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 30 V 150A（Tc） 960mW（Ta）、210W（Tc）面実装 8-SOP Advance（5x5.75）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	TPHR6503PL1,LQ モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
シリーズ	U-MOSIX-H
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	30 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	150A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	0.65ミリオーム @ 50A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	2.1V @ 1mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	110 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	10000 pF @ 15 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	960mW（Ta）、210W（Tc）
動作温度	175°C
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	8-SOP Advance（5x5.75）
パッケージ/ケース	8-PowerTDFN